Simulator Semikonduktor

Eksplorasi karakteristik dioda dan transistor dengan model matematika realistis

Pilih Material Semikonduktor

Kontrol Eksperimen

0V0V1.0V
Tegangan
0.000 V
Arus
0.000000 mA

Analisis Real-time

Tegangan Ambang:0.700 V
Status:MENAHAN
Daya Disipasi:0.000000 mW
Material:Silikon
💡 Insight: Silikon mulai menghantar pada ~0.7V

Kurva Karakteristik I-V

Visualisasi Dioda

Simbol Dioda
Anoda
+
Katoda
-
Status: MENAHAN

📚 Teori Dasar

Persamaan Dioda (Shockley)

I = Iₛ × (e^(V/(nVₜ)) - 1)

  • • Iₛ: Arus saturasi (~1e-12 A untuk Si)
  • • n: Faktor idealitas (1-2)
  • • Vₜ: Tegangan thermal (~26mV pada 300K)

Model Transistor

I꜀ = h꜀ₑ × Iʙ

  • • h꜀ₑ: Penguatan arus (50-300)
  • • Mode aktif: V꜀ₑ > Vʙₑ
  • • Mode saturasi: V꜀ₑ < Vʙₑ